產(chǎn)品簡介：

博納熱PECVD氣相沉積爐是一種基于等離子體化學氣相沉積技術的薄膜沉積設備，能夠對各種材料進行薄膜沉積，包括金屬、半導體、絕緣體等?？蓮V泛應用于微電子、光電、平板顯示、儲能等領域。

產(chǎn)品特點：

●最高溫度：1200℃(HRE電阻絲加熱)。

●智能化50段可編程自動控制。

●超溫保護功能，當溫度超過允許設定值自動斷電。

●安全保護當爐體漏電時自動斷電。

●爐殼結構，雙層風冷結構;表面溫度低于50℃。

●爐膛采用日本技術真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)氧化鋁多晶纖維無機材料，保溫性能極佳。

●304不銹鋼KF快卸密封法蘭。

●升溫速率 ≦20℃/分。

●控溫精度 ±1℃。

●薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S。

●大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%。

●一致性高：用半導體行業(yè)的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%。

●工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定。

●標配直連式真空泵，極限真空度可達10Pa。

●標配三路質(zhì)量流量計。

●等離子射頻電源：大射頻功率達500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

可選配件：

● 真空系統(tǒng)可根據(jù)客戶需求選擇(最高真空度可達7x10-4Pa,分子泵真空系統(tǒng))。

● 可提供混氣系統(tǒng)及質(zhì)量流量計，滿足多路氣體的混合及流量的精準控制。

● 高清觸控屏

技術參數(shù)（可定制）：

cvd設備真空系統(tǒng)

cvd設備詳細參數(shù)